Структура: N-Channel Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0,35 Максимальное напряжение сток-исток Uси: 60 В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 10В, 2 Ом/0.5А
Кол-во каналов: 1 Напряжение изоляции (RMS): 5000 В Тип входа: DC Тип выхода: Транзистор с базой Напряжение выхода: 70 В Рабочая температура, °C: -55…+100
Серия: B2хх Тип устройства: Диод Шоттки Материал полупроводника: Кремний Кол-во диодов в корпусе: 1 Конфигурация диода: Одиночный Максимальное обратное напряжение: 40 В
Серия: B3хх Тип устройства: Диод Шоттки Материал полупроводника: Кремний Кол-во диодов в корпусе: 1 Конфигурация диода: Одиночный Максимальное обратное напряжение: 40 В
Серия: BYS10 Тип устройства: Диод Шоттки Материал полупроводника: Кремний Кол-во диодов в корпусе: 1 Конфигурация диода: Одиночный Максимальное обратное напряжение: 45 В
Кол-во каналов: 1 Напряжение изоляции (RMS): 5000 В Тип входа: DC Тип выхода: Транзистор с базой Напряжение выхода: 70 В Рабочая температура, °C: -55…+110
Кол-во каналов: 2 Напряжение изоляции (RMS): 5300 В Тип входа: DC Тип выхода: Транзистор Напряжение выхода: 70 В Рабочая температура, °C: -55…+100
Кол-во каналов: 2 Напряжение изоляции (RMS): 4000 В Тип входа: DC Тип выхода: Транзистор Напряжение выхода: 70 В Рабочая температура, °C: -55…+100
Кол-во каналов: 1 Напряжение изоляции (RMS): 5300 В Тип входа: DC Тип выхода: Транзистор (Дарлингтон)с базой Напряжение выхода: 30 В Рабочая температура, °C: -55…+100
Серия: BAT54 Тип устройства: Диодная сборка Шоттки Материал полупроводника: Кремний Кол-во диодов в корпусе: 2 Конфигурация диода: 1-пара, Последовательное соединение Максимальное обратное напряжение: 30 В