2SK3878(STA1,E,S)

Транзистор N-MOSFET 900В 9А 150Вт [SC-65 / 2-16C1B.]

Өндіруші: Toshiba
Санат: Өрістік (MOSFET)

Бағасы 2 680 ₸

Қоймада: 14 дана

Жеткізу және төлем

Өзі алып кету — тегінШымкент қ., қойма · Дс – Жм 9:00 – 18:00 · 1 жұмыс күні, дайындық туралы хат
Жеткізу — Сапар тарифпен — тауарды алғанда курьергеШымкент бойынша Yandex Go курьерімен · Төлем күні немесе келесі жұмыс күні
Онлайн төлемТапсырыс рәсімдегенде картамен, тауар бірден брондалады

Партия керек пе? Көтерме (B2B) немесе BOM сұранысы

Сипаттамалары

Структура: N-Channel
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Максимальное напряжение сток-исток Uси: 900 В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.3 Ом/4А, 10В
Корпус: SC-65/2-16C1B
Пороговое напряжение на затворе: 4
Крутизна характеристики, S: 7

Сипаттама

MOSFET, N-канальный, 9A, 900 В, TO3P; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id:9A; Напряжение источника стока Vds:900 В; Сопротивление включения Rds (вкл.): 1,3 Ом; Тестовое напряжение Rds (вкл.) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:4 В; Рассеиваемая мощность Pd: 150 Вт; Тип корпуса транзистора: TO-3P; Количество контактов: 3PIN; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL:-; SVHC: Без SVHC (15 января 2018 г.); Максимальный ток: 9A; Клеммная колодка Тип: Сквозное отверстие; Тип транзистора: Силовой MOSFET; Типовое напряжение Vds: 900 В; Максимальное напряжение Vgs: 30 В; Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В