Структура: N-Channel Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 320 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330 Максимальное напряжение сток-исток Uси: 40 В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0016 Ом/160А, 10В
Структура: N-Channel Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Максимальное напряжение сток-исток Uси: 55 В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/25А, 10В
Серия: BAT60 Тип устройства: Диод Шоттки Материал полупроводника: Кремний Кол-во диодов в корпусе: 1 Конфигурация диода: Одиночный Максимальное обратное напряжение: 10 В