Кол-во диодов в корпусе: 1 Конфигурация диода: Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение: 1000 В Максимальный (средний) прямой ток на диод: 1 А Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C: 1,1 В Максимальный обратный ток при Tj=25 °C: 10 мкА
Кол-во диодов в корпусе: 1 Конфигурация диода: Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение: 1000 В Максимальный (средний) прямой ток на диод: 1 А Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C: 1,1 В Максимальный обратный ток при Tj=25 °C: 10 мкА
Мощность рассеяния: 1 Вт Минимальное напряжение стабилизации: 25,65 В Номинальное напряжение стабилизации: 27 В Максимальное напряжение стабилизации: 28,35 В Статическое сопротивление Rст.: 35 Ом при токе I ст: 0,25 мА
Структура: N-Channel Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0,83 Максимальное напряжение сток-исток Uси: 60 В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 10В, 5 Ом/0.2А
Кол-во каналов: 1 Напряжение изоляции (RMS): 5000 В Тип входа: AC, DC Тип выхода: Транзистор Напряжение выхода: 70 В Рабочая температура, °C: -55…+105
Кол-во каналов: 1 Напряжение изоляции (RMS): 5000 В Тип входа: DC Тип выхода: Транзистор Напряжение выхода: 70 В Рабочая температура, °C: -55…+110
Кол-во каналов: 1 Напряжение изоляции (RMS): 2500 В Тип входа: DC Тип выхода: Транзистор (Дарлингтон)с базой Напряжение выхода: 18 В Рабочая температура, °C: -40…+85
Кол-во каналов: 2 Напряжение изоляции (RMS): 2500 В Тип входа: DC Тип выхода: Транзистор Напряжение выхода: 20 В Рабочая температура, °C: -55…+100
Тип: дифференциальный Число элементов: 2 Тип выхода: CMOS, MOS, Open-Collector, TTL Ток потребления: 2,5 мА Напряжение питания: одиночное (В+), двойное (В±): +2…36, ±1…18 Время задержки распространения: 300 нс
Серия: MBR05хх Тип устройства: Диод Шоттки Материал полупроводника: Кремний Кол-во диодов в корпусе: 1 Конфигурация диода: Одиночный Максимальное обратное напряжение: 20 В
Серия: MBR05хх Тип устройства: Диод Шоттки Материал полупроводника: Кремний Кол-во диодов в корпусе: 1 Конфигурация диода: Одиночный Максимальное обратное напряжение: 40 В
Серия: MBR10хх Тип устройства: Диод Шоттки Материал полупроводника: Кремний Кол-во диодов в корпусе: 1 Конфигурация диода: Одиночный Максимальное обратное напряжение: 100 В
Кол-во каналов: 2 Напряжение изоляции (RMS): 2500 В Тип входа: DC Тип выхода: Транзистор Напряжение выхода: 70 В Рабочая температура, °C: -40…+100
Тип выхода: Фиксированный Кол-во выходов: 1 Серия: NCP1402 Тип устройства: DC-DC конвертер Step-Up Конфигурация выхода: Positive Топология: Boost
Тип выхода: Регулируемый Кол-во выходов: 1 Серия: NCP1529 Тип устройства: DC-DC конвертер Step-Down Конфигурация выхода: Positive Топология: Buck
Кол-во каналов: 1 Напряжение изоляции (RMS): 5000 В Тип входа: DC Тип выхода: Транзистор Напряжение выхода: 70 В Рабочая температура, °C: -55…+110
Серия: MBR05хх Тип устройства: Диод Шоттки Материал полупроводника: Кремний Кол-во диодов в корпусе: 1 Конфигурация диода: Одиночный Максимальное обратное напряжение: 30 В